Samsung Galaxy S8 ว่าที่เรือธงตัวท็อปรุ่นต่อไป คาดได้ใช้ชิปเซ็ต Snapdragon 835 เป็นรุ่นแรก! พร้อม RAM 6GB และ ROM 256GB ที่เพิ่มขึ้น 4 เท่าตัว จ่อเผยโฉมมีนาคมปีหน้า!

เรียกได้ว่ายังคงมีการเปิดเผยข้อมูลออกมาให้ได้ทราบกันอย่างต่อเนื่องสำหรับว่าที่สมาร์ทโฟนเรือธงตัวท็อปรุ่นต่อไปจากค่าย Samsung อย่าง Samsung Galaxy S8 โดยล่าสุดแหล่งข่าวในประเทศจีนได้ทำการเปิดเผยรายละเอียดเพิ่มเติมว่า Galaxy S8 จะได้รับการอัปเกรดหน่วยความจำแรม (RAM) ให้มีขนาดใหญ่ขึ้น รวมถึงอัปเกรดหน่วยความจำภายใน (ROM) ให้มีขนาดมากขึ้นกว่าเดิมถึง 4 เท่าตัว

สำหรับ Samsung Galaxy S7 เรือธงรุ่นยอดนิยมที่ทำการเปิดตัวอย่างเป็นทางการเมื่อช่วงต้นปีที่ผ่านมา มีหน่วยความจำ (RAM) ขนาด 4GB พร้อมหน่วยความจำภายใน (ROM) ขนาด 32GB และ 64GB ซึ่งรายละเอียดในครั้งล่าสุดนี้เผยว่า Galaxy S8 จะมาพร้อมหน่วยความจำแรม (RAM) ที่มากขึ้นเป็น 6GB และมีหน่วยความจำภายใน (ROM) ขนาดใหญ่ถึง 256GB ซึ่งถือว่าเพิ่มมากขึ้นกว่าเดิมราว 4 เท่าตัว อีกทั้งยังคาดว่าจะได้รับการสืบทอดฟีเจอร์เด่นอย่างเซ็นเซอร์สแกนม่านตา (Iris Scanner) มาจาก Galaxy Note7 ด้วยเช่นเดียวกัน
 

นอกจากนี้ยังคาดกันว่าทั้ง Samsung Galaxy S8 และ Xiaomi Mi6 ว่าที่เรือธงรุ่นต่อไปจากค่าย Xiaomi จะเป็นสมาร์ทโฟนสองรุ่นแรกที่ได้ใช้งานชิปเซ็ต Snapdragon 835 ซึ่งเป็นชิปเซ็ตตัวท็อปรุ่นใหม่ล่าสุดจากค่าย Qualcomm ที่เพิ่งทำการเปิดตัวอย่างเป็นทางการไปสดๆ ร้อนๆ เมื่อไม่กี่วันที่ผ่านมา โดยชิปเซ็ต Snapdragon 835 ใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 10nm FinFET พร้อมประสิทธิภาพการทำงานที่เร็วขึ้นถึง 27% และใช้พลังงานแบตเตอรี่ได้อย่างมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นถึง 40% ในขนาดเล็กลงกว่าเดิม 30% รวมถึงรองรับเทคโนโลยี Quick Charge 4.0 เวอร์ชันใหม่ล่าสุด

Samsung Galaxy S8 คาดว่าจะมีการเปิดตัวอย่างเป็นทางการพร้อมๆ กับ Xiaomi Mi6 ในช่วงเดือนมีนาคมในปีหน้า ซึ่งคงต้องคอยติดตามกันต่อไป คาดว่าจะมีการอัปเดตรายละเอียดให้ได้ทราบกันเพิ่มเติมอีกครั้งหนึ่งในเร็วๆ นี้

ที่มา : BGR, rayarena, sammobile

วันที่ : 28/11/2559